Тип модуля : діодно-тиристорний;

Структура напівпровідника : подвійна лінійна;

Зворотна напруга макс. : 1.8кВ;

Струм провідності : 251А;

Корпус : BG-PB50-1;

Пряма напруга макс. : 1.4В;

Струм в імпульсі макс. : 9.1кА;

Струм вентиля : 200мА;

Монтаж : пригвинчуваний;

Електричний монтаж : пригвинчуваний;

Струм провідності макс. : 410А;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;